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PI無氧烘箱工藝流程
來源: | 作者:雋思半導體設備部 | 發布時間: 2023-04-06 | 936 次瀏覽 | 分享到:

  PI光刻膠是一種高性能、高精度的光刻膠,被廣泛應用于微電子、光電子、MEMS等領域

PI無氧烘箱工藝的必要性

  PI光刻膠的預烘是將其涂覆在襯底上后,在特定溫度下進行一段時間的烘千,使PI溶液中的溶劑揮發掉,PI形成一定的網狀結構并增強其附著性。

PI無氧烘箱工藝要求(參考):

  1. 在低氧狀態下使用

  2. 真空加熱,升溫至1xx℃

  3. 再溫至1xx℃(約xh),保溫約 30min;

  4. 繼續升溫至x00℃,視涂層厚度不同加熱10-x0min

  5. 保溫 約60min;

  6. 降溫至100℃以下

PI無氧烘箱性能

溫度:室溫+50~400℃

氧濃度:≤10ppm 

真空度:1Torr

冷卻裝置:輔助降溫

控制方式:可程式運行


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